ထုတ်ကုန်ဂုဏ်သတ္တိများ
| အမျိုးအစား | ဖော်ပြပါ။ |
| အမျိုးအစား | ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း (IC) ထည့်သွင်းထားသည် - FPGA (Field Programmable Gate Array) |
| ထုတ်လုပ်သူ | AMD Xilinx |
| စီးရီး | Spartan®-6 LX |
| အထုပ် | ဗန်း |
| ထုတ်ကုန်အခြေအနေ | ကုန်ပစ္စည်းလက်ဝယ်ရှိ |
| LAB/CLB အရေအတွက် | ၁၁၃၉ |
| လော့ဂျစ်ဒြပ်စင်/ယူနစ် အရေအတွက် | ၁၄၅၇၉ |
| စုစုပေါင်း RAM ဘစ်များ | ၅၈၉၈၂၄ |
| I/O အရေအတွက် | ၂၃၂ |
| ဗို့အား - ပါဝါ | 1.14V ~ 1.26V |
| တပ်ဆင်မှုအမျိုးအစား | Surface Mount အမျိုးအစား |
| Operating အပူချိန် | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| အထုပ်/အရံအတား | 324-LFBGA၊ CSBGA |
| ပေးသွင်း ကိရိယာ ထုပ်ပိုးမှု | 324-CSBGA (15x15) |
| အခြေခံထုတ်ကုန်နံပါတ် | XC6SLX16 |
bug ကိုသတင်းပို့ပါ။
Parametric ရှာဖွေမှုအသစ်
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ပို့ကုန် အမျိုးအစား ခွဲခြားခြင်း-
| အရည်အချင်းများ | ဖော်ပြပါ။ |
| RoHS အခြေအနေ | ROHS3 သတ်မှတ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီသည်။ |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | ၃ နာရီ (၁၆၈)၊ |
| အခြေအနေကိုရောက်ရှိ | လက်လှမ်းမမီသော ထုတ်ကုန်များ |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | ၈၅၄၂.၃၉.၀၀၀၁ |
မှတ်စုများ-
1. ဗို့အားအားလုံးသည် မြေပြင်နှင့် ဆက်စပ်နေသည်။
2. ဇယား 25 တွင် Memory Interfaces အတွက် အင်တာဖေ့စ်စွမ်းဆောင်ရည်များကို ကြည့်ပါ။ တိုးချဲ့လုပ်ဆောင်မှုအပိုင်းကို အသုံးမပြုသည့် ဒီဇိုင်းများအတွက် သတ်မှတ်ထားသည်။
စံ VCCINT ဗို့အားအကွာအဝေး။စံ VCCINT ဗို့အားအကွာအဝေးကို အသုံးပြုသည်-
• MCB ကို အသုံးမပြုသော ဒီဇိုင်းများ
• LX4 စက်များ
• TQG144 သို့မဟုတ် CPG196 ပက်ကေ့ဂျ်များရှိ စက်များ
• -3N အမြန်နှုန်းအဆင့်ရှိသော စက်ပစ္စည်းများ
3. VCCAUX အတွက် အကြံပြုထားသည့် အမြင့်ဆုံးဗို့အား ကျဆင်းမှုသည် 10 mV/ms ဖြစ်သည်။
4. ဖွဲ့စည်းမှုအတွင်း VCCO_2 သည် 1.8V ဖြစ်ပါက VCCAUX သည် 2.5V ဖြစ်ရပါမည်။
5. -1L စက်ပစ္စည်းများသည် LVDS_25၊ LVDS_33၊ BLVDS_25၊ LVPECL_25၊ RSDS_25၊ RSDS_33၊ PPDS_25 ကိုအသုံးပြုသောအခါတွင် VCCAUX = 2.5V လိုအပ်ပါသည်။
နှင့် PPDS_33 သွင်းအားစုများအတွက် I/O စံနှုန်းများ။-1L စက်များတွင် LVPECL_33 ကို မပံ့ပိုးပါ။
6. VCCO သည် 0V သို့ကျဆင်းသွားသော်လည်း ဖွဲ့စည်းမှုဒေတာကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။
7. VCCO တွင် 1.2V၊ 1.5V၊ 1.8V၊ 2.5V နှင့် 3.3V တို့ ပါဝင်သည်။
8. PCI စနစ်များအတွက်၊ transmitter နှင့် receiver သည် VCCO အတွက် ဘုံထောက်ပံ့မှုများ ရှိသင့်သည်။
9. -1L အမြန်နှုန်းအဆင့်ရှိသော စက်ပစ္စည်းများသည် Xilinx PCI IP ကို မပံ့ပိုးပါ။
10. ဘဏ်တစ်ခုလျှင် စုစုပေါင်း 100 mA ထက်မပိုပါစေနှင့်။
11. VCCAUX ကို အသုံးမပြုသည့်အခါ ဘက်ထရီကျောထောက်နောက်ခံပြုထားသော RAM (BBR) AES ကီးကို ထိန်းသိမ်းရန် VBATT လိုအပ်သည်။VCCAUX ကိုအသုံးပြုပြီးသည်နှင့် VBATT ဖြစ်လာနိုင်သည်။
အဆက်အစပ်မရှိBBR ကိုအသုံးမပြုသောအခါ၊ Xilinx သည် VCCAUX သို့မဟုတ် GND သို့ချိတ်ဆက်ရန်အကြံပြုသည်။သို့သော်၊ VBATT သည် ချိတ်ဆက်မှုဖြုတ်နိုင်သည်။ Spartan-6 FPGA ဒေတာစာရွက်- DC နှင့် အသွင်ကူးပြောင်းခြင်းဆိုင်ရာ လက္ခဏာများ
DS162 (v3.1.1) ဇန်နဝါရီ 30၊ 2015
www.xilinx.com
ကုန်ပစ္စည်းသတ်မှတ်ချက်
4
ဇယား 3- eFUSE ပရိုဂရမ်းမင်းအခြေအနေများ(1)
Symbol ဖော်ပြချက် Min Typ Max Units
VFS(2)
ပြင်ပဗို့အားထောက်ပံ့
3.2 3.3 3.4 V
IFS
VFS ထောက်ပံ့ရေးလက်ရှိ
– – 40 mA
VCCAUX အရန်ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား GND 3.2 3.3 3.45 V
RFUSE(3) RFUSE pin မှ GND 1129 1140 1151 သို့ ပြင်ပခုခံရေးကိရိယာ
Ω
VCCINT
အတွင်းပိုင်းထောက်ပံ့ရေးဗို့အား GND 1.14 1.2 1.26 V နှင့် ဆက်စပ်သည်။
tj
အပူချိန်အတိုင်းအတာ
15 – 85°C
မှတ်စုများ-
1. ဤသတ်မှတ်ချက်များသည် eFUSE AES သော့ကို ပရိုဂရမ်ရေးဆွဲစဉ်တွင် သက်ရောက်သည်။ပရိုဂရမ်းမင်းကို JTAG မှတဆင့်သာ ပံ့ပိုးထားသည်။ AES သော့သည် သာဖြစ်သည်။
အောက်ပါစက်ပစ္စည်းများတွင် ပံ့ပိုးပေးသည်- LX75၊ LX75T၊ LX100၊ LX100T၊ LX150 နှင့် LX150T။
2. eFUSE ပရိုဂရမ်ရေးသောအခါ၊ VFS သည် VCCAUX ထက်နည်းရမည် သို့မဟုတ် ညီမျှရမည်။ပရိုဂရမ်မတင်သည့်အခါ သို့မဟုတ် eFUSE အသုံးမပြုသည့်အခါ၊ Xilinx
VFS နှင့် GND ချိတ်ဆက်ရန် အကြံပြုထားသည်။သို့သော် VFS သည် GND နှင့် 3.45 V ကြားရှိနိုင်သည်။
3. eFUSE AES သော့ကို ပရိုဂရမ်ရေးဆွဲသည့်အခါ RFUSE resistor လိုအပ်သည်။ပရိုဂရမ်မတင်သည့်အခါ သို့မဟုတ် eFUSE အသုံးမပြုသည့်အခါ၊ Xilinx
RFUSE pin ကို VCCAUX သို့မဟုတ် GND သို့ ချိတ်ဆက်ရန် အကြံပြုထားသည်။သို့သော် RFUSE ကို ချိတ်ဆက်မှု ဖြုတ်နိုင်သည်။
